进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图

进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图基于这种传感器的设计特征，受金属特性的影响相对较小，圈轴向的目标物位置的变化也对传感器的灵敏度影响不大。，它们可以预防静电并且可以安装在有潜在爆炸风险的环境中。BT65X 和 BT115X 定位感应盘的外表是用不锈钢做成的，并带有小缺口，

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进口倍加福位置传感器,P+F位置传感器设计图实验步骤：
1．了解霍尔传感器的结构和在实验仪上的位置，熟悉实验面板上霍尔片的符号。霍尔片安装在实验仪的振动圆盘上，两个半圆形磁钢固定在实验仪的顶板上，二者组成霍式传感器。
2．差动放大器调零。之后关闭电源，放大器增益调到小。
3．装好测微头，调节它带动振动台位移，使霍尔片置于半圆形磁钢上下正中位置。打开电源，调节WD或微调测微头使电压表示数为0。
4．以此为起点，向上和向下位移测微头，每次0.5mm，记录输出数据，分别填入相应的表格中。
注意事项：
1．实验前应检查实验接插线是否完好，连接电路时应尽量使用较短的接插线，以避免引入干扰。
2．接插线插入插孔，以保证接触良好，切忌用力拉扯接插线尾部，以免造成线内导线断裂。
3．稳压电源不要对地短路。所有单元电路的地均须与电源地相连。
4．一旦调整好，测量过程中不能移动磁路系统。
5．直流激励电压须严格限定在2V，不能任意加大，以免损坏霍尔元件。
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